Peter Rabkin
机构: Director R&D, Western Digital Corp.
每年引用次数
引用次数
引用: 3,384
H-指数: 30
I10-指数 : 73
出版物: 164
Fabless/Foundry DFM: 45nm and Beyond
P Rabkin
Semiconductor Fabtech 76 -82
6
2006
„Submicron Si/SiGe CMOS circuit potential determined using mixed-mode device-circuit simulation”
S Voinigescu , P Rabkin , CAT Salama , A Tcherniaev
Simulat. Standard 4 ( 5)
1
1993
SESSION 11: PANEL: DFM Rules!
N Sherwani , SL Mack , A Alexanian , P Buch
DESIGN AUTOMATION CONFERENCE 1 ( 42) 168 -168
2005
2D SIMULATION OF DC, AC, AND BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF BIPOLAR AND UNIPOLAR SILICON CARBIDE DEVICES
PB Rabkin
ISDRS 2 569 -569
1993
Nonlinear model of the turn-off process of a pnpn structure with charge removal by reverse current
PB Rabkin , VV Togatov
Radiotekh. Elektron. ( 10) 2039 -2047
1984
INVESTIGATION OF THE GTO THIRISTOR STATIC CHARACTERISTICS AND THEIR DEPENDENCE ON PARA-BASE PARAMETERS
PB RABKIN , VA KORSMIK
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 34 ( 8) 1735 -1743
1989
MODELING OF PNPN-STRUCTURES GATE TURN-OFF PROCESS IN QUASI-2-DIMENSIONAL APPROACH
PB RABKIN , SM SHABANOV
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 34 ( 8) 1747 -1755
1989
MATHEMATICAL-MODEL AND INVESTIGATION OF GATE-ASSISTED TURN-OFF PROCESS IN PNPN-STRUCTURES
PB RABKIN
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 34 ( 7) 1448 -1452
1989
Modèle mathématique et étude du processus de déconnexion des structures pnpn en régime combiné
PB RABKIN
Radiotehnika i èlektronika 34 ( 7) 1448 -1452
1989
Modélisation du processus de coupure des structures pnpn dans l'approximation quasi-bidimensionnelle
PB RABKIN , SM SHABANOV
Radiotehnika i èlektronika 34 ( 8) 1747 -1755
1989
Etude de l'influence des paramètres de la base p sur les caractéristiques statiques d'un thyristor à gachette
PB RABKIN , VA KORSMIK
Radiotehnika i èlektronika 34 ( 8) 1735 -1743
1989
TURN-OFF TIME OF PNPN-STRUCTURES IN THE REGIMES OF SMALL REVERSE CURRENT AND VOLTAGE
PB RABKIN , KL SELENINOV
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 33 2006 -2008
1988
Thyristors de puissance à tension élevée à rapidité accrue
EM GEJFMAN , AV KONYUKHOV , IN LAPSHINA , YU M LOKTAEV
Èlektrotehnika (Moskva, 1963) ( 5) 20 -22
1988
NONISOTHERMIC MODEL OF SWITCHING-ON PROCESS OF PNPN-STRUCTURES IN THE PERIOD OF SETTING UP TAKING INTO ACCOUNT AUGER-RECOMBINATION EFFECTS
PB RABKIN , VA KORSMIK
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 32 ( 10) 2187 -2193
1987
TRANSIENT TURN-OFF PROCESS AND TURN-OFF TIME OF PNPN-STRUCTURES WITH CHARGE EXTRACTION BY THE REVERSE CURRENT
PB RABKIN
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 32 1776 -1779
1987
Modèle non isotherme pour le processus d'amorçage d'une structure pnpn pendant l'étape d'établissement du régime stationnaire en tenant compte des effets de recombinaison Auger
PB RABKIN , VA KORSMIK
Radiotehnika i èlektronika 32 ( 10) 2187 -2193
1987
Le temps de commutation des thyristors haute-tension rapides
PB RABKIN , KL SELENINOV
Èlektrotehnika (Moskva, 1963) ( 1) 28 -31
1987
NONLINEAR MODEL OF THE PNPN-STRUCTURE TURN-OFF PROCESS WITH CHARGE EXTRACTION BY REVERSE CURRENT
PB RABKIN , VV TOGATOV
RADIOTEKHNIKA I ELEKTRONIKA 29 ( 10) 2039 -2047
1984
Modèle non linéaire pour le processus de coupure d'une structure pnpn avec extraction de la charge par un courant inverse
PB RABKIN , VV TOGATOV
Radiotehnika i èlektronika 29 ( 10) 2039 -2047
1984