Photoreflectance spectroscopy applied to semiconductors and semiconductor heterostructures.

P. Sitarek , G. Sęk , J. Misiewicz
Optica Applicata 29 327 -363

3
1999
Photoreflectance spectroscopy of low-dimensional semiconductor structures

P. Sitarek , G. Sęk , J. Misiewicz
Opto-electronics Review 1 -24

4
2000
ZASTOSOWANIE FOTOODBICIA DO BADANIA CIENKICH WARSTW INXGA1-XAS

S. Talik , J. Misiewicz , G. Sęk
Przegląd Elektrotechniczny 74 ( 10) 273 -275

1998
Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju

E. Pruszyńska-Karbownik , M. Wesołowski , W. Strupiński , K. Pierściński
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 52 25 -28

2011
2011
Spektroskopia modulacyjna nanostruktur półprzewodnikowych w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni

M. Motyka , R. Kudrawiec , J. Misiewicz , G. Sęk
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 50 78 -83

2009
Optical characterisation of strained-layer In/sub x/Ga/sub 1-x/As/GaAs MQW LED grown by MOVPE.

B. Ściana , D. Radziewicz , M. Tłaczała , G. Sęk
Optica Applicata 30 183 -188

2000
Optyczne właściwości supersieci GaAs/AlGaAs badane za pomocą spektroskopii modulacyjnej

F. Janiak , M. Bugajski , J. Misiewicz , K. Ryczko
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 52 46 -48

2011
A(III)B(V) detectors with graded active region

W. Macherzyński , M. Motyka , A. Szyszka , B. Ściana
Materials Science-poland

2008
Technology and properties of GaAs doping superlattices

D. Pucicki , D. Radziewicz , M. Tłaczała , J. Kováč
Materials Science-poland

2
2008
Microphotoreflectance spectroscopy - a modulation technique with high spatial resolution

Z. Gumienny , G. Sęk , P. Podemski , W. Rudno-Rudziński
Optica Applicata 37 439 -447

1
2007
Optical Trapping and Propagation of Nonresonantly Driven One-Dimensional Exciton-Polariton Condensate

M. Pieczarka , G. Sęk , A. Opala
Acta Physica Polonica A 132 ( 2) 401 -404

2017
Strongly temperature-dependent recombination kinetics of a negatively charged exciton in asymmetric quantum dots at 1.55 µm

Ł. Dusanowski , Ł. Dusanowski , J. P. Reithmaier , S. Höfling
Applied Physics Letters 113 ( 4) 043103

6
2018
Influence of electronic coupling on the radiative lifetime in the (In,Ga)As/GaAs quantum dot-quantum well system

M. Syperek , J. Andrzejewski , W. Rudno-Rudziński , G. Sęk
Physical Review B 85 ( 12) 125311

23
2012
Carrier trapping and luminescence polarization in quantum dashes

A. Musiał , P. Kaczmarkiewicz , G. Sęk , P. Podemski
Physical Review B 85 ( 3) 035314

34
2012
Photoreflectance-probed excited states in InAs∕InGaAlAs quantum dashes grown on InP substrate

W. Rudno-Rudziński , R. Kudrawiec , P. Podemski , G. Sęk
Applied Physics Letters 89 ( 3) 031908

40
2006
Optical properties of low-strained InxGa1−xAs∕GaAs quantum dot structures at the two-dimensional–three-dimensional growth transition

P. Poloczek , G. Sęk , J. Misiewicz , A Löffler
Journal of Applied Physics 100 ( 1) 013503

24
2006
Photoreflectance evidence of multiple band gaps in dilute GaInNAs layers lattice-matched to GaAs

R. Kudrawiec , E.-M. Pavelescu , J. Wagner , G. Sęk
Journal of Applied Physics 96 ( 5) 2576 -2579

49
2004
Photoreflectance spectroscopy of coupled InxGa1−xAs/GaAs quantum wells

G. Sęk , K. Ryczko , M. Kubisa , J. Misiewicz
Thin Solid Films 364 ( 1) 220 -223

6
2000
Carrier dynamics in inhomogeneously broadened InAs/AlGaInAs/InP quantum-dot semiconductor optical amplifiers

O. Karni , K. J. Kuchar , A. Capua , V. Mikhelashvili
Applied Physics Letters 104 ( 12) 121104

12
2014