Porous Silicon Oxide Layer Formation by the Electrochemical Treatment of a Porous Silicon Layer
作者： M. Yamana , N. Kashiwazaki , A. Kinoshita , T. Nakano , M. Yamamoto
DOI: 10.1149/1.2087100
关键词: Oxide 、 Electrochemistry 、 Chemical engineering 、 Porous silicon 、 Layer (electronics) 、 Oxide thin-film transistor 、 Chemistry 、 Analytical chemistry
摘要:
harvard.edu
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