SiSiO2 interfacial atomic scale roughness caused by inhomogeneous thermal oxidation

摘要: A new model to describe the thickness inhomogeneities and roughness of interfaces thin SiO2 films is presented. This compatible with actual kinetics silicon oxidation can be used study influence conditions on final homogeneity film at atomic scale. Monte Carlo methods are simulate inhomogeneous growth an analytical expression for distribution also derived. The simulations simultaneously determine local thicknesses as a function time average law rough film. As in previous works, experimentally observed non-stoichiometric SiOx layer reinterpreted terms microroughness. this apparent layer, which depends conditions, obtained total oxide thickness. presented appropriate investigate electrical performance MOS structures and, since it mechanisms, suitable minimize effects these inhomogeneities. Un nouveau modele pour decrire les heterogeneites d'epaisseur des couches minces de et la microrugosite ces ete presente. Ce est avec cinetique d'oxydation du silicium peut ětre utilise etudier l'influence sur l'homogeneite dans l'echelle atomique. La croissance heterogene couche d'oxyde simulee par methode une analytique d'epaisseurs locaux aussi trouvee. Les permettent d'obtenir en fonction temps au meme loi moyenne couche. Nous avons reinterprete transition d'interface termes et, comme le presente mechanismes thermique silice, pu egalement l'evolution cette l'epaisseur d'oxyde. Le permet d'etudier l'heterogeneite sǔr electrique choisir minimisr heterogeneite.