The Strain Distribution of the Interface Between Substrate and Epitaxial Layer of Silicon by X‐Ray Double Crystal Method

作者： Ekyo Kuroda , Nobuo Miyamoto

DOI: 10.1149/1.2129247

关键词: Crystallography 、 Substrate (electronics) 、 X-ray 、 Silicon 、 Layer (electronics) 、 Strain distribution 、 Epitaxy 、 Materials science 、 Double crystal 、 Optoelectronics