Substitutionsreaktionen an Galliumhalogeniden mit Silylsulfiden

作者: Gerhard G. Hoffmann

DOI: 10.1002/CBER.19831161209

关键词: ChemistryAlkylSilylationBenzeneTrisGallium halidesMedicinal chemistryGallaneSubstitution reactionReaction mechanismStereochemistry

摘要: Die Galliumhalogenide GaCl3, GaBr3 und GaI3 (1, 2 3) reagieren mit den Silylsulfiden (CH3)3SiSCH3, (CH3)3SiSC2H5 (4, 5 6) in Benzol unter Bildung der extrem feuchtigkeitsempfindlichen Mono-, Bis- Tris(alkyl- bzw. phenylthio)gallane 7–22. Spektroskopische Daten sowie einige physikalische chemische Eigenschaften neuen Verbindungen werden mitgeteilt. Der mogliche Bildungsmechanismus ein interessantes strukturelles Phanomen Diiod(alkylthio)gallane 12, 13 diskutiert. Substitution Reactions on Gallium Halides with Silyl Sulfides The reactions between the gallium halides 2, and silyl sulfides (CH3)3SiSC2H5, (CH3)3SiSC6H5 5, benzene result formation of extremely moisture-sensitive mono-, bis-, tris(alkyl- phenylthio)gallanes (7–22). Spectra as well some physical chemical properties new compounds are given. The possible mechanism an interesting structural phenomenon diiodo(alkylthio)gallanes discussed.

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