A Structural and Electrical Comparison of BCl and BF 2 Ion‐Implanted Silicon

作者: M. Delfino , M. E. Lunnon

DOI: 10.1149/1.2113860

关键词: Inorganic chemistrySiliconAnnealing (metallurgy)Secondary ion mass spectrometryAnalytical chemistryChemistryIon implantationIonTransmission electron microscopy

摘要: Etude par microscopie electronique des zones amorphes produites implantation BCl + et BF 2 . comparative du recuit a 900°C pendant 30 minutes. Caracteristiques diodes fabriquees

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