Position and nature of electron states associated with dislocations in Ge

摘要: Existing experimental results concerning energetic position of electron states associated with edge dislocations in Ge are critically analysed, and some new data presented. It is argued that the structure dislocation more complex than assumed previously. Taking deformation field around a into account one can expect effective levels to be located somewhere central part forbidden gap. This really confirmed by photoconductivity studies both Si. Bekannte experimentelle Ergebnisse uber die energetische Lage von Elektronenzustanden, mit Stufenversetzungen verbunden sind, werden kritisch analysiert und einige neue Werte angegeben. Es wird angenommen, das Struktur der Versetzungszustande komplizierter ist als fruher vermutet. Durch Berucksichtigung des Deformationsfeldes um eine Versetzung kann erwartet werden, effektiven Versetzungsniveaus irgendwo Mitte verbotenen Zone liegen. Dies durch Photoleitungsuntersuchungen sowohl an auch Si bestatigt.