A 4.5 kV HBM, 300 V CDM, 1.2 kV HMM ESD protected DC-to-16.1 GHz wideband LNA in 90 nm CMOS

作者： Groeseneken , Okushima , Scholz , Borremans , Dehan

DOI:

关键词: Radio frequency 、 Resistor 、 CMOS 、 Human-body model 、 Materials science 、 Optoelectronics 、 Hidden Markov model 、 Stress (mechanics) 、 Electrostatic discharge 、 Wideband