Conduction and Valence Band Edges of Porous Silicon Determined by Electron Transfer

作者： Julie M. Rehm , George L. McLendon , Philippe M. Fauchet

DOI: 10.1021/JA9538795

关键词: Direct and indirect band gaps 、 Electron hole 、 Electron transfer 、 Porous silicon 、 Semimetal 、 Condensed matter physics 、 Chemistry 、 Valence electron 、 Band gap 、 Thermal conduction 、 Atomic physics