Sublimation of Cadmium Telluride and Cadmium Selenide under a Vapour Pressure of one of their Components and the Equilibrium Form of Crystal Growth

摘要: The dependence of the sublimation velocity V (g · s−1 cm−2) binary compounds AIIBIV on vapour pressure one their components p is investigated. For this purpose extensions are made to theory kinetics element including mechanism diffusion transport. relationship ∼ (p)−3 derived. A method for growing single crystals by heating a mixture small and large AB under component described justified. α = exp (4 v0 σi/k Tsr1) derived supersaturation (α) phase at crystal growth site generalization Thompson-Gibbs relation. Equilibrium has it possible determine GI planes cadmium telluride selenide. Es wurde die Abhangigkeit der Sublimationsgeschwindigkeit binarer AIIBIV-Verbindungen von dem Dampfdruck einer ihrer Komponenten (p) untersucht. Zu diesem Zweck wurden Sublimations-Kinetik Elemente und Diffusions-Transport-Mechanismus extrapoliert. Es eine Beziehung Form abgeleitet. Eine Methode zur Zuchtung Einkristallen durch Erhitzen Mischung kleinen grosen Kristalliten AB-Verbindungen unter Komponente wird beschrieben begrundet. Fur Ubersattigung Dampfphase am Ort Kristallbildung Verallgemeinerung Thompson-Gibbs-Gleichung Das Gleichgewichtswachstum ermoglicht Bestimmung GI-Flachen an Kadmiumtellurid Kadmiumselenid.