Temperature Dependence of Two-Dimensional Optical Energy Gap for Germanium Selenide Single Crystals

作者: A. M. Elkorashy

DOI: 10.1002/PSSB.2221460129

关键词:

摘要: The interband absorption coefficient of GeSe single crystals near the fundamental edge is analyzed on basis a two-dimensional model and found to correspond an indirect forbidden transition. optical energy gap at room temperature be (1.066 ± 0.011) (1.078 0.010) eV for a- c-crystallographic axes, which lie in plane cleavage. dependence studied from liquid nitrogen temperature. This linear range 96 250 K with negative dEg/dT equal −0.48 −0.46 meV per c-axes, respectively. results are compared those obtained three dimensional agreement within limits experimental error. Auf der Basis eines zweidimensionalen Modells wird Interbandabsorptionskoeffizient von Einkristallen Nahe Grundgitterabsorptionskante analysiert und gefunden, das er einem indirekten verbotenen Ubergang entspricht. Die optische Energielucke bei Zimmertemperatur zu (1,066 0,011) (1,078 0,010) fur die kristallographischen Achsen c bestimmt, den Spaltebenen liegen. Temperaturabhangigkeit optischen zwischen Raumtemperatur bis fast zur Temperatur des flussigen Stickstoffs untersucht. Es diese Abhangigkeit ist im Bereich mit negativen Temperaturkoeffizienten gleich −0,48 −0,46 meV/K bzw. c- Achse. Ergebnisse werden denen verglichen, auf Grundlage dreidimensionalen erhalten werden, es Ubereinstimmung innerhalb experimentellen Fehlers gefunden.

参考文章(8)
A.M. Elkorashy, Optical absorption in tin monoselenide single crystal Journal of Physics and Chemistry of Solids. ,vol. 47, pp. 497- 500 ,(1986) , 10.1016/0022-3697(86)90048-X
Masaki Shinada, Satoru Sugano, Interband Optical Transitions in Extremely Anisotropic Semiconductors. I. Bound and Unbound Exciton Absorption Journal of the Physical Society of Japan. ,vol. 21, pp. 1936- 1946 ,(1966) , 10.1143/JPSJ.21.1936
A. M. Elkorashy, Indirect forbidden fundamental absorption edge in germanium selenide single crystals Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics. ,vol. 135, pp. 707- 713 ,(1986) , 10.1002/PSSB.2221350230
C. R. Kannewurf, A. Kelly, R. J. Cashman, Comparison of three structure determinations for germanium selenide, GeSe Acta Crystallographica. ,vol. 13, pp. 449- 450 ,(1960) , 10.1107/S0365110X60001072
Atsushi Okazaki, The Crystal Structure of Germanium Selenide GeSe Journal of the Physical Society of Japan. ,vol. 13, pp. 1151- 1155 ,(1958) , 10.1143/JPSJ.13.1151
F. Lukeš, Optical and photoelectric properties of GeSe in the energy range 0·5–1·5 eV Czechoslovak Journal of Physics. ,vol. 18, pp. 784- 794 ,(1968) , 10.1007/BF01696140
IUrii Isaakovich Ravich, Semiconducting Lead Chalcogenides Springer US. ,(1970) , 10.1007/978-1-4684-8607-0