作者: A. M. Elkorashy
关键词:
摘要: The interband absorption coefficient of GeSe single crystals near the fundamental edge is analyzed on basis a two-dimensional model and found to correspond an indirect forbidden transition. optical energy gap at room temperature be (1.066 ± 0.011) (1.078 0.010) eV for a- c-crystallographic axes, which lie in plane cleavage. dependence studied from liquid nitrogen temperature. This linear range 96 250 K with negative dEg/dT equal −0.48 −0.46 meV per c-axes, respectively. results are compared those obtained three dimensional agreement within limits experimental error. Auf der Basis eines zweidimensionalen Modells wird Interbandabsorptionskoeffizient von Einkristallen Nahe Grundgitterabsorptionskante analysiert und gefunden, das er einem indirekten verbotenen Ubergang entspricht. Die optische Energielucke bei Zimmertemperatur zu (1,066 0,011) (1,078 0,010) fur die kristallographischen Achsen c bestimmt, den Spaltebenen liegen. Temperaturabhangigkeit optischen zwischen Raumtemperatur bis fast zur Temperatur des flussigen Stickstoffs untersucht. Es diese Abhangigkeit ist im Bereich mit negativen Temperaturkoeffizienten gleich −0,48 −0,46 meV/K bzw. c- Achse. Ergebnisse werden denen verglichen, auf Grundlage dreidimensionalen erhalten werden, es Ubereinstimmung innerhalb experimentellen Fehlers gefunden.