A Morphological and Structural Study of Evaporated Cadmium Sulphide Thin Films

作者: A. Ashour , R. D. Gould , A. A. Ramadan

DOI: 10.1002/PSSA.2211250215

关键词:

摘要: The morphology of evaporated cadmium sulphide thin films is investigated using scanning electron microscopy. As-grown thickness less than 30 nm exhibit protrusions which are identified with prisms developed along the c-axis. Pinholes and cracks in also observed. structure deposited interpreted discussed terms line-profile analysis X-ray diffraction patterns, a particular emphasis given to effeets preparation conditions on orientation, crystallite grain size, residual microstrain. found be hexagonal wurtzite c-axis length 0.6796 nm. All preferentially orientated 〈001〉 fibre texture. degree preferential orientation incrcase slightly increasing film thickness, but 10 decrcase deposition rate. In general size increase decrease rate, while microstrain shows oppositc dependence. optimum temperature for substrates during appears approximately 150°C where maximum minimum. Die Morphologie von dunnen aufgedampften Kadmiumsulfidschichten wird mittels Rasterelektronen-mikroskopie untersucht. Unbehandelte Schichten einer Dicke geringcr als zeigen Protrusionen, die Prismen identifiziert werden. sich Richtung der c-Achse entwickeln. Locher und Sprunge Schicht werden ebenfalls beobachtet. Die Struktur aufgebrachten interpretiert mit Linienprofilanalyse Rontgenbeugungsdiagramme diskutiert, wobei Einflussc Praparationsbedingungen auf Orientierung, Kristallitkorngrose Restmikrospannungen besonders berucksichtigt Es gefundcn. das hexagonale Wurtzitstruktur Lange 0,6796 besitzen. alle bevorzugt 〈001〉-Faserstruktur orientiert sind. Der Grad bevorzugten Orientierung nimmt steigender Schichtdieke leicht zu, jedoch wachsendcr Ahscheidungsratc ah. Im allgemeinen gefunden. dic Korngrose wachsender zunimmt Abscheidungsrate abnimmt, wahrend Restmikrospannung eine entgegengesetzte Abhangigkeit zeigt. optimale Temperatur fur Substrate Abscheidung scheint etwa zu betragcn, wo maximal minimal ist.

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