Zur frage des dampfdrucks der verbindungen InAs, GaAs, InP und GaP

摘要: Zusammenfassung Es wird eine neue Methode zur Messung des Dampfdiuckes einer binaren Verbindung an ihrem kongruenten Schmeizpunkt beschrieben. Diese lasst sich ohne weiteres allerdings nur anwenden, wenn die folgenden Bedingungen erfullt: In einem offenen System sei der Schmeizvorgang inkongruent, wahrend ein kongruentes Schmelzen im Gleichgewicht mit Dampfphase, nahezu aus leichtfluchtigen Komponente besteht, moglich sei. Die Loslichkeit Komponenten in betrachteten festen vernachlassigbar. besteht wesentlichen darin, dass Schmeize zum einseitigen Erstarren gebracht wird, wobei Gleichgewichtsdampfdruck von Versuch zu geandert wird. Der gesuchte Dampfdruck war vorhanden, falls so hergestellter Kristall vollstandig frei Einschlussen ist. Dieser berechnet Menge Komponente, Zeit Erstarrungsprozesses Dampfphase befand. An einigen A III B v -Verbindungen wurden Messungen durchgefuhrt und dabei Werte fur den am Schmelzpunkt ermittelt: InAs : 0,25 atm. ; GaAs: 0,89 InP > 15,5 GaP 13,5 Einige Folgerungen Herstellung das Umschmelzen Verbindungen genannten Art werden diskutiert.