作者: F. Kohl , G. Urban , J. Steurer , F. Olcaytug , A. Jachimowicz
DOI: 10.1007/BF03159609
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摘要: Neuere Entwicklungen im Bereich der Dunnschichttechnologie und mikromechanischen Bearbeitung von Silizium haben thermische Sensoren mit erstaunlichen Eigenschaften hervorgebracht: Die Kombination Thermistoren aus amorphem Germanium, dunnen Membranen CVD Siliziumnitrid selektiv anisotrop geatztem Siliziumtragern ermoglichen die Herstellung miniaturisierten hochempfindlichen Temperaturfuhlern, Infrarotdetektoren, Schallschnellerezeptoren, Stromungssensoren Durchflusmessern fur Gase Flussigkeiten. Dieser Beitrag prasentiert am Halbleitertechnologielaboratorium des Instituts Allgemeine Elektrotechnik Elektronik erzielten Ergebnisse einschlagiger Forschungsarbeiten.