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作者: Giovanni Richieri
DOI:
关键词:
摘要: A SiC Schottky diode which includes a barrier formed on silicon face 4H—SiC body.
,2012, 引用: 1
,2016, 引用: 24
,2007, 引用: 24
,2012, 引用: 10
,2008, 引用: 38
,2006, 引用: 28
,2012, 引用: 4
,2009, 引用: 3
,2012, 引用: 6