作者: R. Herrmann , J. Vogel , H. Haefner
关键词:
摘要: Homogeneous Bi1−xSbx single crystals of high bismuth content (0 < x 0.04) are prepared by gradual crystallization in a quartz mould containing crystal seed which provides for the orientation crystal. The distribution alloying element is investigated, and concentration behaviour compared with existing model conceptions. quality estimated comparing relaxation times electrons mould-grown those obtained zone melting. orientations crystallographic axes relatively to geometry examined means X-ray methods. Homogene wismutreiche Bi1−xSbx-Einkristalle 0,04) werden einer Quarzform, die einen Impfkeim fur Orientierung des Kristalls enthalt, durch langsames Erstarren (≧ 0,1 mm/h) der Schmelze hergestellt. Die Verteilung Legierungskomponente wird untersucht und Konzentrationsverlauf mit existierenden Modellvorstellungen verglichen. Gute Kristalle den Vergleich Relaxationszeiten Elektronen formgezuchteten Kristallen Kristallen, Zonenschmelzverfahren hergestellt werden, abgeschatzt. kristallographischen Achsen relativ zur Geometrie rontgenographisch uberpruft.