作者: J.J Hantzpergue , J.C Remy
DOI: 10.1016/0040-6090(75)90085-1
关键词:
摘要: Resume Les proprietes electriques, optiques et structurales des films etain-azote amorphes realises par pulverisation cathodique reactive sont etudiees. La variation de la conductivite electrique en fonction temperature indique un comportement semiconducteur permet distinguer deux processus conduction. Le caractere dielectrique largeur bande interdite (3,5–3,6 eV) du nitrure d'etain Sn3N4 amorphe, principal constituant films, deduits l'etude l'absorption optique. longueur liaison SnN (2,25±0.04 A) est calculee a partir donnees spectroscopie infrarouge. consideration longueurs largeurs Ge3N4, Pb3N4 conclure que metal-azote type monoelectronique.