A Mathematical Model of Silicon Chemical Vapor Deposition Further Refinements and the Effects of Thermal Diffusion
作者： Michael E. Coltrin , Robert J. Kee , James A. Miller
DOI: 10.1149/1.2108820
关键词:
摘要: Description du modele qui est applique au depot de Si a partir silane. Le predit les domaines temperature et vitesse en phase gazeuse
harvard.edu
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