Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium nach dem Aufwachsverfahren
作者： Th. Renner
关键词:
摘要: From the corresponding chlorides and ammonia, nitrides of boron, aluminum, gallium, indium were prepared in a coarsely crystalline state by means van Arkel---de Boer process. The nitrides, being extremely resistant to chemical reagents, are semiconductors; electric conductivities increase from BN, AlN, GaN InN. (auth)
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