Messung des übergangswiderstandes zwischen metall und diffusionsschicht in Si-planarelementen

摘要: Zusammenfassung In der vorliegenden Arbeit wird eine Struktur beschrieben, die wirklichkeitsnahe Messung des Ubergangswiderstandes zwischen Metall und Diffusionsschicht im Halbleiter ermoglicht. Neben grundsatzlichen Uberlegungen werden notwendigen mathematischen Beziehungen fur rechteckige konzentrische Kontaktanordnungen bereitgestellt moglichen Unsicherheiten bei Auswertung abgeschatzt. Das Ergebnis erster Messungen mitgeteilt.