Led-element mit dünnschicht-halbleiterbauelement auf galliumnitrid-basis
作者： Stefan Tasch
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摘要: Die Erfindung betrifft ein LED-Modul aufweisend einen LED-Chip (1), eine aktive Galliumnitrid-Schicht (2), und Siliziumplattform (3), auf welcher der (1) angeordnet ist, wobei die (3) einer dem abgewandten Seite (3b) zwei Elektroden (4a, 4b) aufweist, welche mit in elektrischer Verbindung stehen, Dicke (2) des LED-Chips zwischen 2 10 µm, vorzugsweise 1 bis 5 µm betragt.
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