Nouvelle formulation de la fonction de transfert d'un laser à nanostructures quantiques pour les applications à la modulation haut-débit et aux phénomènes microscopiques non-linéaires

摘要: L'exploitation des semi-conducteurs de basse dimensionnalite permet d'ameliorer les proprietes composants optoelectroniques par un meilleur confinement quantique electrons et trous. L'objectif cette contribution est d'etudier theoriquement dynamiques lasers nano-structures InAs/InP(311B). Une nouvelle expression la fonction transfert en intensite du laser proposee pour systemes a ilots quantiques. Les modeles classiques puits quantiques sont etudies comparaison ainsi que donnees experimentales sur ilots.