摘要: En este trabajo se ha desarrollado un simulador numérico tridimensional de dispositivos bipolares, el cual puede ser aplicado a dispositivos de homounión y de heterounión gradual y abrupta. Se ha implementado sobre arquitecturas multiprocesador. Este simulador ha sido programado utilizando los lenguajes C y Fortran junto con la librería estándar de pase de mensajes MPI, usando el modelo de programación SPMD. Esto ha permitido obtener un código eficiente y portable. El simulador ha sido testeado utilizando entre otros los multicomputadores AP3000, CRAY T3E y redes de estaciones de trabajo. El programa de simulación parte de un conjunto de parámetros físicos correspondientes a los materiales que componen el transistor y de una malla no estructurada de elementos tetraédricos. Se utiliza un modelo de arrastre-difusión extendido, en el que se resuelven las ecuaciones de Poisson y de …
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