作者： Petr Šimek , Zdeněk Sofer , Ondřej Jankovský , David Sedmidubský
DOI:
关键词:
摘要: V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp) 2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0, 2–3, 2 µmol· min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie …