DETERMINATION OPTIQUE DU PROFIL DE PORTEURS LIBRES DANS DU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE.

摘要: DETERMINATION OPTIQUE DU PROFIL DE PORTEURS LIBRES DANS DU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE. CNRS Inist Pascal-Francis CNRS Pascal and Francis Bibliographic Databases Simple search Advanced search Search by classification Search by vocabulary My Account Home > Search results Help Export Export Selection : Selected items (1) Format : Permanent link CopyPermanent link Copy http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=getRecordDetail&idt=PASCAL7530049654 DETERMINATION OPTIQUE DU PROFIL DE PORTEURS LIBRES DANS DU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE. Author GEFFROY Y; BENNACEUR R; SEBENNE C; BALKANSKI M LAB. PHYS. SOLIDES, UNIV. PARIS VI, 75230 PARIS-CEDEX 05 Source VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 52-60; BIBL. 1 P.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVE. CONGR. INT. AVISEM 74…