摘要: Wir betrachten die folgende physikalische Situation: Ein Halbleiter (z. B. Silizium) wird auf der linken Seite mit negativen Akzeptor-Ionen und auf der rechten Seite mit positiven Donator-Ionen dotiert. An den Kontakten wird eine Spannung TJ= Ua—Uc angelegt. Die charakteristische Länge des Bauelementes sei 21. Ein eindimensionales statisches Modell für das Verhalten des elektrostatischen Potentials ip, die Ladungsträgerdichten n und p und die Stromdichten Jn und Jv besteht aus den Differentialgleichungen (siehe VAN ROOSBBOECK [5])
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