Optimisation des paramètres de sortie d’une cellule photovoltaïque réalisée à partir de matériaux ternaires bases sur les semiconducteurs de l’élément III-nitruré

摘要: Résumé Les matériaux nitrures d’éléments III: GaN, AlN, InN et leurs alliages sont présentés comme des semi-conducteurs intéressants pour le développement de dispositifs optoélectroniques. La recherche dans ces matériaux a été déclenchée en observant particulièrement certaines de leurs caractéristiques: leur large bande interdite directe, leur haute conductivité thermique, le champ de claquage élevé, leur grande stabilité mécanique et leur résistance aux radiations. Leur bande interdite est originellement l’une des propriétés les plus attrayantes. En effet, elle varie entre 0.7 eV pour l’InN et 6.2 eV pour l’AlN couvrant ainsi une gamme de longueurs d’onde unique concernant les semiconducteurs, de l’infrarouge proche jusqu’à l’ultraviolet lointain. L’énergie photovoltaïque obtenue grâce aux cellules solaires est de plus en plus considérée comme une source d’énergie qui peut contribuer à la production …