摘要: Cette thèse présente la caractérisation d'un MESFET en Arséniure de Gallium pour la détection optique. Après avoir rappelé brièvement les propriétés du matériau, on présente le principe de fonctionnement du transistor à effet de champ, ainsi que l'influence de la lumière sur le MESFET. La structure étudiée est originale: c'est un MESFET dont la grille est interrompue sur une distance submicronique. Sa caractérisation en obscurité a permis de déterminer les valeurs des différents paramètres du transistor, tels que l'épaisseur de la couche active, et la valeur des résistances d'accès. Pour cela, on compare les caractéristiques d'obscurité expérimentales avec les caractéristiques théoriques, obtenues à partir d'un calcul prenant en compte l'extension latérale de la zone de charge d'espace sous la fente de la grille, ainsi que l'existence du potentiel de surface. Sa comparaison permet d'ajuster les divers paramètres du MESFET. On décrit un montage optique permettant de faire une tache lumineuse de diamètre de l'ordre du micron, destinée à n'éclairer que la région où la grille est interrompue. Ceci a permis d'observer l'influence de la largeur de la fente de la grille sur la sensibilité sensibilité et le gain du phototransistor en régime d'éclairement quasi permanent par un laser Hélium-Néon. Le même montage optique est utilisé pour étudier la réponse temporelle du phototransistor, à l'aide d'un laser à colorant (Rhodamine 6G) délivrant des impulsions picosecondes. Les temps de montée et de descente du signal observé sont respectivement inférieurs à 100 et 300 ps.
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