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    Effect of Growth Temperature on Composition and Photoluminescent Properties of InxAl1-xN/ AI0.59Ga0.41N Multiple Quantum Wells

    作者： Haoning Li , Vitaly Zubialevich , Shahab Norouzian-Alam , Peter Parbrook

    DOI:

    关键词:

    摘要:

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    来源期刊
    10th International Conference on Nitride Semiconductors, Washington – DC, USA
    • 2013 年,
    • Volume: None, Issue: None,
    • Page: AP2.71-AP2.71
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