Incorporation of Cd‐Interstitial Double Donors into CdS Single Crystals

摘要: The incorporation of excess Cd into CdS crystals in a atmosphere is studied experimentally. During the heat treatment vapour conductivity (ν) measured as function pressure (pCd) and temperature, between 400 730 °C. relaxation σ after step-like increase pCd also investigated. It shown that incorporated form doubly ionised interstitials (Cd○2+), this leads to transition from “pure” Frenkel disorder interstitial disorder. energy required for neutral atom on an site (Cdgas Cd), migration Cd, first ionisation Cd○ are found be 1.0 eV, 0.62 0.05 respectively. formation defect (Cd + Cd) estimated about 2.5 eV. temperature dependence quenched determined by at low temperatures. large concentrations vacancies can frozen quenching. Der Einbau von uberschussigem Cd-Kristalle einer Cd-Atmosphare wurde experimentell untersucht. Wahrend der Temperung im Cd-Dampf die Leitfahigkeit Kristalle als Funktion des Cd-Druckes und Temperatur zwischen °C gemessen. Die Kinetik nach stufenartigen Erhohung ebenfalls Es wird gezeigt, das uberschussiges doppelt ionisiert auf Zwischengitterplatz (Cd) eingebaut wird, was zu einem Ubergang „reiner” Frenkel-Fehlordnung „Zwischengitter-Fehlordnung” fuhrt. Energie fur den eines neutralen Cd-Atoms Cd○x), Wanderungsenergie erste Ionisierungsenergie wurden 1,0 0,62 eV bzw. 0,05 bestimmt. Bildungsenergie Frenkel-Paares etwa 2,5 abgeschatzt. Temperaturabhangigkeit auch Kristallen gemessen, abgeschreckt worden waren. ergibt sich, sie bei tiefen Temperaturen durch Ionisation bestimmt wird. zeigt Abschrecken grose Konzentrationen Cd-Lucken eingefroren werden konnen.