The barrier height (BH) and ideality factor (n) distribution in identically prepared Al/ Bi3Ti4O12/n-Si (MFS) structures

摘要: Bu calismada, ayni sartlarda hazirlanmis 60 adet Al/Bi3Ti4O12/n-Si (MFS) diyot icin engel yukseklikleri (bo) ile idealite faktorleri (n) arasindaki baginti, dogru on-gerilim akim-voltaj (IV) karakteristikleri kullanilarak oda sicakligimda incelendi. Deneysel sonuclar, kosullarda ve n tipi Si wafer uzerinde hazirlanmalarina ragmen, bu diyotlarin bo degerleri oldukca farklilik gostermistir. Yuksek degerleri, BTO arayuzey tabakanin kalinligina homojensizligine atfedildi. istenmeyen durumun fiziksel kaynagini aciklamak, ilerde uretilecek numunelerin kalitesi tekrarlanabilirligi acisindan onem arz etmektedir. degerlerindeki degisimin Gaussyen dagilima uydugu goruldu degerler arasinda, bo=(-0.065n+1.005) eV seklinde lineer bir baglanti elde edildi.