Electrical properties of metal-polymer-metal (MPM) and metal-polymer-silicon (MPS) structures with thin polymer films

摘要: The electrical properties of MPM and MPS structures are studied with a view to the application thin polymer films as gate insulators in tunnel for passivation semiconductor surfaces. Thin (up 200 A) tetramethyl–tetraphenyl–trisiloxane formed by electron beam polymerization technique. Experimental measurements on conduction characteristic indicate an electrode-limited mechanism investigated thickness range films. very layers (< 100 allow appreciable current flow between metal silicon causing depart significantly from thermal equilibrium conditions when structure is reverse biased. Saturation voltage occurs its level depends work function. By proper choice fabrication methods mobile charge can be minimized about 3 × 1010 cm−2. interface at flat band condition positive independent electrodes. value it equal 2 1012 cm−2. Die elektrischen Eigenschaften von MPM- und MPS-Strukturen werden im Hinblick auf die Anwendung dunnen Polymerschichten als Tor-Isolatoren Tunnelstrukturen fur Passivierung Halbleiteroberflachen untersucht. Dunne (bis zu durch Elektronenstrahlpolymerisation Tetramethyl–tetraphenyl–trisiloxan hergestellt. Messungen den Leitungscharakteristiken MPM-Strukturen zeigen elektrodenbegrenzten Leitungsmechanismus untersuchten Dickenbereich der Polymerschichten. Die mit sehr erlauben einen betrachtlichten Tunnelstromflus zwischen dem Metall Silizium, eine betrachtliche Abweichung des Siliziums thermischen Gleichgewichtsbedingungen bei Sperrichtung gepolten Strukturen hervorruft. Es tritt Strom-Sattigung Sperrspannung auf, seine Hohe hangt Austrittsarbeit Metalls ab. Durch geeignete Herstellungsbedingungen kann Ladung etwa cm−2 herabgesetzt werden. Grenzflachenladung unter Bedingung flacher Bander ist positiv unabhangig Polymerdicke Metall-Torelektroden. Ihr Wert betragt