Electronic Structure of the Ideal Vacancies in (Hg, Cd)Te

摘要: The localized orbital method (LOM) based upon an atomic-like basis set and empirical pseudopotential Hamiltonian in conjunction with the Green's function is employed for study of electron states ideal vacancies (Hg, Cd)Te. This used first time a calculation Bloch sums are formed from Gaussian orbitals s p symmetry on each atomic site. A systematic shows that accurate description band energies density can be obtained, use minimal set. Since relativistic terms neglected weighted average spin splitted levels HgTe CdTe densities states. calculated vacancy general agreement what known about defect Cd)Te. Die Methode lokalisierter Orbitale mit einem atomahnlichen Basissatz und Pseudopotential-Hamiltonian wird Verbindung der Greenschen Funktionen benutzt, um die Elektronenzustande idealer Leerstellen Cd)Te zu untersuchen. Diese erstmals fur eine Berechnung von idealen benutzt. Es werden Blochsummen aus Gausorbitalen s- p-Symmetrie jeden Atomplatz gebildet. Eine systematische Untersuchung zeigt, das genaue Beschreibung Bandenergien Zustandsdichte minimalen Satz Gausfunktionen erhalten kann. Da relativistischen Terme vernachlassigt werden, gewichteten Mittelwerte spinaufgespaltenen Niveaus Zustandsdichten Die berechneten Zustande stimmen im allgemeinen dem uberein, was uber Defektniveaus bekannt ist.