作者: Wolf Andreas , Dr.-Ing. Biro Daniel , Dr.-Ing. Preu Ralf , Dipl.-Phys. Mack Sebastian , Dipl.-Phys. Jäger Ulrich
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摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: The invention relates to a process for making photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: A Texturieren Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, texturing front of semiconductor substrate which is doped with base doping type, B Erzeugen mindestens selektiven Dotierstruktur an der des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem flachiger Niedrigdotierbereich (4) ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb Niedrigdotierbereiches lokaler Hochdotierbereich zweiten wobei jeweils Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu Basisdotierungstyp ist, werden niedrigeren Querleitungswiderstand wird als Niedrigdotierungsbereich generating at least one selective on side formed by generates flat having first profile and within local second created, are each connected emitter opposite designed lower cross line resistance than low region C Aufbringen metallischen Emitterkontaktstruktur auf gegebenenfalls weitere Zwischenschichten, zumindest den Bereichen Hochdotierung, die elektrisch leitend verbunden Basiskontaktstruktur Ruckseite Bereich Basisdotierung wird. C. applying metallic contact structure substrate, optionally further intermediate layers, areas high doping, electrically conductively backside other wherein connected. Wesentlich dass zwischen Verfahrensschritten C, unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, Verfahrensschritt B1 Vorder- gleichzeitig eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation Vorderseitensiliziumoxidschicht Dicke kleiner 150 nm It essential that between steps interposition steps, step back same time respectively silicon oxide film produced thermal oxidation, whereby thickness less generated.