Kuan-Lun Cheng, C. C. Wu, Y. P. Wang, D. W. Lin, C. M. Chu, Y. Y. Tarng, S. Y. Lu, S. J. Yang, M. H. Hsieh, C. M. Liu, S. P. Fu, J. H. Chen, C. T. Lin, W. Y. Lien, H. Y. Huang, P. W. Wang, H. H. Lin, D. Y. Lee, M. J. Huang, C. F. Nieh, L. T. Lin, C. C. Chen, W. Chang, Y. H. Chiu, M. Y. Wang, C. H. Yeh, F. C. Chen, C. M. Wu, Y. H. Chang, S. C. Wang, H. C. Hsieh, M. D. Lei, K. Goto, H. J. Tao, M. Cao, H. C. Tuan, C. H. Diaz, Y. J. Mii,
A highly scaled, high performance 45 nm bulk logic CMOS technology with 0.242 μm 2 SRAM cell international electron devices meeting. pp. 243- 246 ,(2007) ,
10.1109/IEDM.2007.4418913