Untersuchungen zur atomspektroskopischen spurenanalyse in AIIIBV-halbleiter-mikroproben—IV: Vergleich der bestimmung von tellurspuren im GaP und GaAs durch AAS, AFS und AES☆
作者： K. Dittrich , H. Vogel
DOI: 10.1016/0039-9140(79)80180-0
关键词:
摘要: Zusammenfassung Es werden atomspektroskopische Methoden fur die Bestimmung von Te-Spuren in saurer Losung Gegenwart und Abwesenheit der anorganischen Matrices As, Ga, P, GaP GaAs GaP- bzw. GaAs-Feststoffen beschrieben. Als wurden eingesetzt: AAS mit elektrothermischer Atomisierung, AFS Atomisierung AES Gleichstromdauerbogenanregung. Die Bedingungen optimiert Resultate miteinander verglichen. wird gezeigt, das besten absoluten auch relativen Nachweisgrenzen liefert (90 pg Te, 4 ppm Te oder GaP). Deshalb diese Methode AIIIBV-Halbleiter-Mikroproben empfohlen.
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