Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
作者： M. Miczuga , R. Kozłowski , M. Kozubal , J. Żelazko , P. Kamiński
DOI:
关键词:
摘要:
参考文章(33)
F. C. Chang, M. C. Lee, Wei-Kuo Chen, L. Lee, B. R. Huang, H. M. Chung, W. H. Chen, Dependence of deep level concentrations on ammonia flow rate in n-type GaN films Chinese Journal of Physics. ,vol. 40, pp. 424- 428 ,(2002)
Kozłowski Roman, Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors PhD Dissertations. ,(2001)
R. Kozłowski, Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprądu. Materiały Elektroniczne. pp. 5- 17 ,(2000)
M. Wierzbowski, R. Kozłowski, S. Jankowski, M. Pawłowski, P. Kamiński, Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy Metrology and Measurement Systems. ,vol. 12, pp. 207- 228 ,(2005)
R. Kozłowski, M. Pawłowski, M. Kozubal, J. Żelazko, P. Kamiński, Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a Electronic Materials. ,vol. 34, pp. 48- 77 ,(2006)
N. Armani, V. Grillo, G. Salviati, M. Manfredi, M. Pavesi, A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, Characterization of GaN-based metal-semiconductor field-effect transistors by comparing electroluminescence, photoionization, and cathodoluminescence spectroscopies Journal of Applied Physics. ,vol. 92, pp. 2401- 2405 ,(2002) , 10.1063/1.1495536
J. M. Gregie, R. Y. Korotkov, B. W. Wessels, Deep Level Formation in Undoped and Oxygen-Doped GaN MRS Proceedings. ,vol. 639, pp. 11561- 11566 ,(2000) , 10.1557/PROC-639-G11.56
Francisco Mireles, Sergio E. Ulloa, Zeeman splitting of shallow donors in GaN Applied Physics Letters. ,vol. 74, pp. 248- 250 ,(1999) , 10.1063/1.123270
S. M. Myers, A. F. Wright, M. Sanati, S. K. Estreicher, Theoretical properties of the N vacancy in p-type GaN(Mg,H) at elevated temperatures Journal of Applied Physics. ,vol. 99, pp. 113506- 113506 ,(2006) , 10.1063/1.2195894