집적된 하이-K 금속 게이트를 갖는 비휘발성 분리형 게이트 메모리 셀들 및 그를 제조하는 방법

作者： Yang Jeng Wei , Su Chien Sheng , Do Nhan , Liu Xian , Zhou Feng

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摘要: 반도체 기판 위에 있으면서 그로부터 절연되는 폴리실리콘 층을 형성하는 단계, 층 전도성 제어 게이트들의 쌍을 내부 및 외부 측면 표면들을 따라서 연장되는 제1 제2 절연 층들을 표면들에 인접한 층의 부분들을 제거하는 구조물 상에 HKMG 형성하고 게이트들 사이의 그의 일부분을 기판에 소스 영역을 영역 소거 게이트를 게이트들에 횡방향으로 워드 라인 게이트들을 드레인 영역들을 단계를 포함하는, 메모리 셀들의 방법이 개시된다.

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