Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells

摘要: Procede de formation regions profondes dopees avec des impuretes sous les contacts arriere d'une cellule solaire. A method of forming deep doped with impurities in the rear a solar cell. Dans une tranche semi-conductrice ayant jonction pn definissant couche emettrice n+ et en vrac type p, p+ est formee dans la p surface tranche. In semiconductor wafer having junction defining an emitting layer and n + p-type bulk, is formed back wafer. Une d'oxyde passivation disposee sur arriere. passivating oxide disposed on surface. pâte metallique serigraphiee suivant configuration predeterminee. metal paste screen printed following predetermined pattern. La combinaison chauffee portee temperature telle que penetre au travers s'allie selectionnees profondeur predeterminee formant ainsi d'impuretes fortement p+. The combination heated brought to such that penetrates through combined selected depth thereby heavily +. metallisation appliquee faisant contact electrique dopees. metallization applied thus making electrical impurity doped.