Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide

摘要: Electron traps and deep levels in cadmium selenide are investigated using the techniques of photocapacitance, infrared quenching level transient spectroscopy (DLTS), optical DLTS. The Cdse crystals used grown from vapour phase sealed capsules have resistivities order 0.01 Ω cm. In to prepare successful Schottky diodes for examination with mentioned, it is necessary increase resistivity range 1 10 This done by annealing selenium at 550 °C, either three or thirty days. Three principal acceptor 0.15, 0.58, 0.71 eV observed material annealed However, only one main 0.64 detected month. hole capture cross-section this defect large, ≈ 10−14 cm2, indications that sensitising centre photoconductivity Cdse. Photocapacitance measurements reveal donor 0.11 0.12 below conduction band. DLTS technique also suggests there electron trap region forbidden gap, but slope Arrhenius plot leads an activation energy 0.22 eV. It probable trapping revealed two same, discrepancy between ionisation can be accounted a thermally activated (trap) defect. Elektronenhaftstellen und tiefe Storstellen Kadmiumselenid werden mit der Photokapazitatstechnik, Infrarottilgung Photokapazitat, “Deep transient”-Spektroskopie (DLTS) optischer untersucht. Die Cdse-Kristalle aus Dampfphase abgeschlossener Ampulle gezogen besitzen Widerstande Grosenordnung von 0,01 Um gute Schottky-Dioden fur die Untersuchungen den oben erwahnten Methoden zu praparieren, ist es notwendig, Widerstand des auf Bereich bis cm erhohen. Dies wird durch Temperung im Selendampf bei °C entweder drei oder dreisig Tage erreicht. Drei Haupt-Akzeptorniveaus 0,15, 0,58 0,71 dem getemperten Material beobachtet. Jedoch nur ein Hauptakzeptor 0,64 nachgewiesen, das einen Monat getempert wird. Der Locher-Einfangquerschnitt diesen Defekt gros, zeigt, Sensibilisierungszentrum Photoleitung darstellt. Photokapazitatsmessungen ergeben Donatorniveau 0,11 0,12 unterhalb Leitungsbandes. DLTS-Technik zeigt ebenfalls, eine Elektronenhaftstelle diesem Energielucke vorhanden ist, jedoch liefert Anstieg Arrheniuskurve Aktivierungsenergie 0,22 Es wahrscheinlich, beiden gefundene Donatorund Haftstellenniveau dasselbe Diskrepanz zwischen Ionisierungsenergie thermisch aktivierten Einfangquerschnitt Donator-(Haftstellen)-Defekts erklart kann.