DECOMPOSITION CHANNELS OF CHEMICALLY ACTIVATED DISILANE. THE Π BOND ENERGY OF DISILENE AND ITS DERIVATIVES

作者: G. OLBRICH , P. POTZINGER , B. REIMANN , R. WALSH

DOI: 10.1002/CHIN.198445035

关键词:

摘要: Photolyse sensibilisee par Hg( 3 P 1 ) de H 2 -SiH 4 donnant Si 6 mais aussi 8 et 10 . Mecanisme formation : decomposition active→SiH +SiH →H +H SiSiH: SiSiH ; insertion SiH dans conduisant a Energie liaison π 108±20 kJ•mole −1

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