作者: G. OLBRICH , P. POTZINGER , B. REIMANN , R. WALSH
关键词:
摘要: Photolyse sensibilisee par Hg( 3 P 1 ) de H 2 -SiH 4 donnant Si 6 mais aussi 8 et 10 . Mecanisme formation : decomposition active→SiH +SiH →H +H SiSiH: SiSiH ; insertion SiH dans conduisant a Energie liaison π 108±20 kJ•mole −1