Analysis of thermoelectric materials with atomic spectrometric methods

摘要: In this work a procedure based on ICP-OES has been developed for the precise determination of main components thermoelectric layer samples. Relative confidence intervals down to 0.2% have achieved (compare Tables 4.2 and 4.3). This is low enough detect deviations from optimum stoichiometry, which would lead significant decrease in performance Figure 4.10). With XRD it could be shown that dependence deposition conditions material structures can significantly improved. Crystallite sizes increased by factor 5 .from 120 nm layers deposited at direct current 600 samples pulsed conditions5 Table 4.10). As bulk impurities elements Ca, Cu, Fe, K, Mg, Na, Ni Zn determined as contaminations concentrations 0.1 _g_ L Im Rahmen dieser Arbeit wurde ein Verfahren auf der Basis von f¨ur die prazise Bestimmung Hauptbestandteile thermoelektrischen Proben, welche elektrochemisch abgeschieden wurden, entwickelt. Vertrauensintervalle bis zu konnten fur Analysenergebnisse erreicht werden (vergleiche Tabellen und Dies ist genugend gut um Abweichungen angestrebten optimalen Stochiometrie feststellen konnen. Diese wurden einem signifikanten Verlust an thermoelektrischer Leistungsfahigkeit fuhren bildung4.10). Mittels konnte gezeigt werden, dass Kristallstrukturen Materialien durch Optimierung Bedingungen elektrochemischen Abscheidung signifikant verbessert Die Kristallitgrose einen Wechsel konstantem Abscheidepotential gepulsten Abscheidepotentialen Faktor gesteigert werden5 Tabelle 4.10). Als Verunreinigungen Elemente Ni, gefunden. Dabei Konzentrationen hinunter