C. Trinh, N. Shibata, T. Nakano, M. Ogawa, J. Sato, Y. Takeyama, K. Isobe, B. Le, F. Moogat, N. Mokhlesi, K. Kozakai, P. Hong, T. Kamei, K. Iwasa, J. Nakai, T. Shimizu, M. Honma, S. Sakai, T. Kawaai, S. Hoshi, J. Yuh, C. Hsu, T. Tseng, J. Li, J. Hu, M. Liu, S. Khalid, J. Chen, M. Watanabe, H. Lin, J. Yang, K. McKay, K. Nguyen, T. Pham, Y. Matsuda, K. Nakamura, K. Kanebako, S. Yoshikawa, W. Igarashi, A. Inoue, T. Takahashi, Y. Komatsu, C. Suzuki, K. Kanazawa, M. Higashitani, S. Lee, T. Murai, K. Nguyen, J. Lan, S. Huynh, M. Murin, M. Shlick, M. Lasser, R. Cernea, M. Mofidi, K. Schuegraf, K. Quader,
A 5.6MB/s 64Gb 4b/Cell NAND Flash memory in 43nm CMOS international solid-state circuits conference. pp. 246- 247 ,(2009) ,
10.1109/ISSCC.2009.4977400