The mean square atomic displacements and enthalpies of vacancy formation in some semiconductors

摘要: The mean square atomic displacements, 〈U2〉, in A and B sublattices of A3B5, A2B6, A4B6 compounds are measured at 100 to 300 K. values 〈U2〉 enthalpy together with literature data for vacancy formation Si, Ge, PbTe, PbS used estimate the empirical coefficients which connect those parameters NaCl sphalerite-type crystal lattices. obtained allow determine some compounds. For example, energy an arsenic GaAs is 2 eV coincides well data. It found that Schottky defect decreases but difference sublattice raises increasing ionicity series isoelectronic Ge Sn. Die quadratischen Mittelwerte der Atomverlagerungen den A- und B-Untergittern von A3B5-, A2B6-, A4B6-Verbindungen werden zwischen K gemessen. Die gemessenen Werte Enthalpie zusammen mit Literaturwerten fur die Leerstellenbildung PbTe benutzt, um empirischen Koeffizienten zu berechnen, diese Parameter Verbindungen NaCl- Sphalerit-Struktur verknupfen. erhaltenen erlauben. einigen A2B6- bestimmen, z. B. Energie Bildung einer Arsenleerstelle eV, was gut ubereinstimmt. Es wird gefunden, das Schottkydefektbildung steigender Ionizitat Serie Sn isoelektronischen abnimmt, jedoch Differenzen Enthalpiewerten Untergitterleerstellen bildung zunehmen.