作者: Sherif Sedky , Ann Witvrouw , Kris Baert
DOI: 10.1016/S0924-4247(01)00811-1
关键词: Germanium 、 Polycrystalline silicon 、 Thin film 、 CMOS 、 Surface micromachining 、 Wafer 、 Microelectromechanical systems 、 Materials science 、 Nanotechnology 、 Dopant
摘要: … using polycrystalline silicon germanium (poly SiGe), having a Ge … with Al interconnects and tungsten plugs, without introducing … The electrical and mechanical properties of poly SiGe …