Method of manufactoring a ferroelectric capacitor device
作者： Volker Weinrich , Günther Schindler , Igor Kasko , Walter Hartner
DOI:
关键词: Ferroelectric capacitor 、 Analytical chemistry 、 Chemistry 、 Electrical engineering
摘要: Bei einem Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Kondensatoranordnung mit wenigstens zwei unterschiedlichen Koerzitivspannungen wird zunachst auf Substrat eine erste Elektrodenstruktur (11) Hohenniveaus ausbildenden Oberflache erzeugt. In a method for manufacturing ferroelectric capacitor arrangement having at least two different coercive first electrode structure an height levels forming surface is formed on substrate. Uber dieser mittels Schleuderbeschichtung Ferroelektrikumschicht (13) variierender Dicke (13A, 13B) abgelagert. Above this of varying thickness deposited by spin coating. Anschliesend zweite (12) der gebildet. Subsequently, second the (13).
lens.org 参考文章(4)
Masayoshi Omura, Nondestructive readout-type ferroelectric memory device having twisted hysteresis ,(1994)
Yamashita Atsushi, Ferroelectric memory cell and reading/writing method thereof ,(1997)
Nakano Hiroshi, Omura Masayoshi, FERRO-DIELECTRIC MATERIAL MEMORY DEVICE ,(1999)
Yoo Cha-Young, Boku Kobai, FORMATION OF CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE ,(1999)