Semi‐Empirical Calculations of the Configuration and Electronic Structure of Lithium‐Related Defects in Silicon

摘要: A modified extended Huckel theory method is employed to perform calculations for the lithium defect in silicon model crystals with and without vacancies. The energetically stable positions atom appear be tetrahedral interstitial models vacancies; case of vacancies substitutional position preferred. migration energy found same range as experimental predictions. In no vacancy defects electronic level established a shallow donor. Lithium-Gitterfehler Silizium-Modellkristallen mit und ohne Leerstellen werden einer modifizierten Version der erweiterten Huckel-Theorie berechnet. Modellkristallen scheint die energetisch gunstigste Lage fur das Lithium-Atom tetraedrische Zwischengitterplatz zu sein; bei Anwesenheit von wird normale substitutionelle Gitterplatz bevorzugt. Die berechnete Wanderungsenergie ist derselben Grosenordnung wie experimentelle Werte. Das elektronische Defektniveau eines flachen Donators.