Growth of Ga y In1 − y As / InP Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy
作者： B. I. Miller , J. H. McFee
DOI: 10.1149/1.2131669
关键词: Molecular beam epitaxy 、 Optoelectronics 、 Heterojunction 、 Materials science
摘要:
harvard.edu
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作者： B. I. Miller , J. H. McFee
DOI: 10.1149/1.2131669
关键词: Molecular beam epitaxy 、 Optoelectronics 、 Heterojunction 、 Materials science
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