Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

作者: M. Suproniuk , R. Kozłowski , M. Pawłowski , P. Kamiński

DOI:

关键词:

摘要:

参考文章(11)
M. Wierzbowski, R. Kozłowski, S. Jankowski, M. Pawłowski, P. Kamiński, Intelligent measuring system for characterisation of defect centres in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy Metrology and Measurement Systems. ,vol. 12, pp. 207- 228 ,(2005)
R. Kozłowski, M. Pawłowski, M. Kozubal, J. Żelazko, P. Kamiński, Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a Electronic Materials. ,vol. 34, pp. 48- 77 ,(2006)
S. JANKOWSKI, M. WIERZBOWSKI, P. KAMINSKI, M. PAWLOWSKI, Implementation of Neural Network Method to Investigate Defect Centers in Semi-Insulating Materials International Journal of Modern Physics B. ,vol. 16, pp. 4449- 4454 ,(2002) , 10.1142/S0217979202015595
P. Kaminski, R. Kozlowski, High-resolution photoinduced transient spectroscopy as a new tool for quality assessment of semi-insulating GaAs Materials Science and Engineering B-advanced Functional Solid-state Materials. ,vol. 91, pp. 398- 402 ,(2002) , 10.1016/S0921-5107(01)01030-3
G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea, Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals Electronics Letters. ,vol. 13, pp. 191- 193 ,(1977) , 10.1049/EL:19770140
Andrei A. Istratov, Oleg F. Vyvenko, Exponential analysis in physical phenomena Review of Scientific Instruments. ,vol. 70, pp. 1233- 1257 ,(1999) , 10.1063/1.1149581
A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea, Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals Electronics Letters. ,vol. 13, pp. 666- 668 ,(1977) , 10.1049/EL:19770473